SI-Leistungsstufen
Maximieren Sie die Leistungsdichte und optimieren Sie den Wirkungsgrad und Ihre Designs
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Leistungsstufen mit thermisch optimiertem Platzbedarf
Intelligente Leistungsstufen mit thermisch optimiertem Platzbedarf
Intelligente Leistungsstufen mit branchenüblichem Platzbedarf
Unsere MOSFET-Leistungsstufen erhöhen die Systemeffizienz & vereinfachen die Entwicklung
Hoher Wirkungsgrad
Die PowerStack™-Gehäusetechnologie eliminiert Parasitäreffekte und reduziert Schaltverluste, während das große Massestanzgitter gleichzeitig über eine ausgezeichnete thermische Leistung verfügt.
Erweitertes Diagnose-Feedback
Genaue, temperaturkompensierte, bidirektionale Strommessung bei jedem Zyklus verbessert die Systemüberwachung sowie die Temperatur. Darüber hinaus verbessert die Fehlerüberwachung die Zuverlässigkeit des Systems.
Weitreichende Integration
Integrierte MOSFETs, Treiber und Strommessung bieten eine vollständige Schaltfunktion, die passive Komponenten überflüssig macht, was die Lösungsgröße reduziert und das Leiterplattenlayout vereinfacht.
Technische Ressourcen
Power loss calculation with CSI consideration for synchronous buck converters (Rev. A)
Eine Einführung in das Thema Mehrphasen-Abwärtsregler
Übersicht über die PowerStack™ Gehäusetechnologie
Entdecken Sie die empfohlenen Anwendungen
Verkleinern Sie die Gesamtgröße der Lösung, verbessern Sie das Einschwingverhalten und die Ausgangsspannungswelligkeit, optimieren Sie die Effizienz und stärken Sie den Systemschutz – mit unseren MOSFET-Leistungsstufen
NexFET™-Leistungsstufen tragen in Verbindung mit Mehrphasen-Controllern dazu bei, Schaltverluste zu reduzieren und die Effizienz und Zuverlässigkeit des Systems zu verbessern.
Vorteile:
- Die PowerStack™-Gehäusetechnologie eliminiert Parasitäreffekte, während ein großes Massestanzgitter eine hervorragende thermische Leistung bietet.
- Genaue, temperaturkompensierte, bidirektionale Strommessung bei jedem Zyklus verbessert die Systemüberwachung. Die Fehlerüberwachung verbessert die Zuverlässigkeit des Systems.
- Integrierte MOSFETs, Treiber und Stromsensoren bieten Schaltfunktionen, die passive Komponenten eliminieren und das Leiterplattenlayout vereinfachen.
Ausgewählte Ressourcen
- CSD95410RRB – Intelligente NexFET™-Leistungsstufe für synchronen Abwärtswandler mit 90 A Spitzenstrom
- CSD95420RCB – Intelligente NexFET™-Leistungsstufe für synchronen Abwärtswandler mit 50 A Spitzenstrom
- CSD95411 – NexFET™-Leistungsstufe für synchronen Abwärtswandler mit 65 A Spitzen-Dauerstrom
- Multiphase Buck Design from Start to Finish, Part 1 (Rev. B) – Application note
Ermöglichen Sie Stromversorgungslösungen über 1.000 A hinaus, verbessern Sie das Einschwingverhalten und die Ausgangsspannungswelligkeit, optimieren Sie die Effizienz und stärken Sie den Systemschutz – mit MOSFET-Leistungsstufen
NexFET-Leistungsstufen™ in Kombination mit Mehr-Phasen-Reglern tragen dazu bei, Schaltverluste zu reduzieren und die Effizienz und Zuverlässigkeit des Systems zu verbessern.
Vorteile:
- Die aktive Stromverteilungs-Phasenverdopplungs-Technologie sorgt für eine genaue Stromverteilung unter gestapelten Leistungsstufen.
- Der CSD95430 ermöglicht Hochleistungsanwendungen durch einfaches Skalieren Ihrer Stromversorgungslösung.
- Die PowerStack™-Gehäusetechnologie eliminiert Parasitäreffekte, während ein großes Massestanzgitter eine hervorragende thermische Leistung bietet.
Ausgewählte Ressourcen
- CSD95430 – Intelligente NexFET™-Leistungsstufe für synchronen Abwärtswandler mit bis zu 90 A
- CSD95410RRB – Intelligente NexFET™-Leistungsstufe für synchronen Abwärtswandler mit 90 A Spitzenstrom
- CSD95420RCB – Intelligente NexFET™-Leistungsstufe für synchronen Abwärtswandler mit 50 A Spitzenstrom
Ermöglichen Sie Eingangsspannungen bis zu 16 V, verbessern Sie das Einschwingverhalten und die Welligkeit der Ausgangsspannung, und stärken Sie den Systemschutz – mit MOSFET-Leistungsstufen
NexFET™-Leistungsstufen in Kombination mit Mehr-Phasen-Reglern tragen dazu bei, Schaltverluste zu reduzieren und die Effizienz und Zuverlässigkeit des Systems zu verbessern.
Vorteile:
- Die 25-V-FET-Technologie ermöglicht einen Eingangsspannungsbereich von bis zu 16 V.
- Die PowerStack™-Gehäusetechnologie eliminiert Parasitäreffekte, während ein großes Massestanzgitter eine hervorragende thermische Leistung bietet.
- Genaue, temperaturkompensierte, bidirektionale Strommessung bei jedem Zyklus verbessert die Systemüberwachung. Die Fehlerüberwachung verbessert die Zuverlässigkeit des Systems.
Ausgewählte Ressourcen
- CSD96415 – NexFET™-Leistungsstufe für synchronen Abwärtswandler mit 80 A Spitzen-Dauerstrom
- CSD96416 – Intelligente NexFET™ -Leistungsstufe für synchronen Abwärtswandler mit 50 A Spitzen-Dauerstrom
- CSD95410RRB – Intelligente NexFET™-Leistungsstufe für synchronen Abwärtswandler mit 90 A Spitzenstrom
Design- & Entwicklungsressourcen
Zweikanal-Evaluierungsmodul (6+2/5+3) für D-CAP+™-Abwärtsregler mit PMBus-Schnittstelle
Das Evaluierungsmodul TPS53681EVM ermöglicht es Benutzern, die Betriebseigenschaften des TPS53681-Controllers mit den intelligenten Leistungsstufen CSD95490 in einer Niederspannungs-, Hochstrom-, Abwärts-Point-of-Load (POL)-Anwendung mit der Konfigurations-, Steuer- und Überwachungsfunktionalität (...)
TPSM831D31, 8 V bis 14 V-Eingang und Zweifach-Ausgang 120 A + 40 A PMBus-Leistungsmodul – Evaluierun
Zweikanalig (12+0, 11+1 oder 10+2 Phasen), D-CAP+-Abwärtsregler, DC/DC-Analog mit PMBus-Schnittstell
Das Evaluierungsmodul (EVM) TPS536C7EVM ermöglicht Benutzern die Evaluierung des Controllers TPS536C7.
Der Regler ist ein zweikanaliger (12 + 0, 11 + 1 oder 10 + 2 Phasen), synchroner, treiberloser D-CAP+™-Abwärtsregler mit PMBus-Schnittstelle. Der Baustein arbeitet mit einer Versorgungsspannung (...)