Leistungsstufen
Steigern Sie die Systemeffizienz und vereinfachen Sie Designs
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Neue Produkte
650 V 230 mΩ GaN-Halbbrücke mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 4.39
GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullstromerkennung
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 6.75
Strahlungstolerante GaN-Leistungsstufe mit 200 V, 10 A und integriertem Treiber
GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullstrom
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 12.54
650 V, 140 mΩ GaN-Halbbrücke mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 4.99
GaN-FET, 650 V, 25 mΩ, im TOLL-Gehäuse, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennu
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 8.476
Unsere GaN- und Si-MOSFET-Leistungsstufen erhöhen die Systemeffizienz & vereinfachen die Entwicklung
Auf Zuverlässigkeit ausgelegt
Unsere GaN-Bausteine sind darauf ausgelegt, Hochspannungssysteme dank eines proprietären GaN-auf-Si-Prozesses, mehr als 40 Millionen Stunden an Zuverlässigkeitstests und diverser Schutzfunktionen sicher zu halten.
Weitreichende Integration
Integrierte MOSFETs, Treiber und Strommessung bieten eine vollständige Schaltfunktion, die passive Komponenten überflüssig macht, was die Lösungsgröße reduziert und das Leiterplattenlayout vereinfacht.
Kleinere Magneten, höhere Leistungsdichte
Unsere GaN-Bausteine ermöglichen schnellere Schaltgeschwindigkeiten und können Sie dadurch dabei unterstützen, Schaltfrequenzen von über 500 kHz zu erreichen. Dies führt zu bis zu 60 % geringerem Magnetismus, verbesserter Leistung und niedrigeren Systemkosten.