Gate-Treiber
Effiziente und zuverlässige Ansteuerung beliebiger Leistungsschalter auf jeder Leistungsstufe für jede Anwendung
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Neue Produkte
Halbbrückentreiber, 700 V, 4 A, mit 8 V UVLO, Aktivierung und Verriegelung
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 0.48
Isolierter Ein-Kanal-Vortreiber für die Automobilindustrie, ±2,8 A, mit geteilten Ausgängen und DESA
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 1
3-A-Low-Side-Treiber für die Automobilindustrie mit Überstromschutz und 8-V-Unterspannungsabschaltun
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 0.3
Halbbrückentreiber, 700 V, 4 A, mit 8 V UVLO, Aktivierung und Verriegelung
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 0.48
3-A-Low-Side-Treiber für die Automobilindustrie mit Überstromschutz und 12-V-Unterspannungsabschaltu
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 0.3
Zweikanaliger isolierter Gate-Treiber für den Automobilbereich, EN und DT mit Basisisolierung
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 1.115
Technologien mit großem Bandabstand
Hochgeschwindigkeits-GaN-Gate-Treiber, welche hohe Leistungsdichte und ein einfaches Design für jegliche Topologie ermöglichen
Aufgrund ihrer Eigenschaften wie schnelle Timing-Spezifikationen, bleifreie Gehäuse und schmalem Pulsweitenverhalten können Sie dank unserer Treiber FETs schnell wechseln. Zusätzliche Funktionen wie Gate-Spannungsregelung, programmierbare Totzeit und niedriger interner Stromverbrauch sorgen dafür, dass hochfrequente Schaltvorgänge den höchstmöglichen Wirkungsgrad erzielen.
GaN and SiC technologies enable increased efficiency in power supplies
An Introduction to Automotive LIDAR (Rev. D)
Optimizing multi-megahertz GaN driver design white paper (Rev. A)
Siliziumkarbid-Gate-Treiber (SiC) für energieeffiziente, robuste und kompakte Systemdesigns
Steigern Sie den Wirkungsgrad Ihres Designs mit den starken Antriebsströmen, dem hohen CMTI und den kurzen Ausbreitungsverzögerungen unserer SiC- und IGBT-Gate-Treiber. Unsere SiC-Gate-Treiber unterstützen Sie dabei, eine robuste Isolierung in Ihrem System mit schnellem integrierten Kurzschlussschutz und hoher Überspannungsfestigkeit zu erzielen. Kleinere, leichtere und kostengünstigere Systeme durch Umstellung auf SiC bei höheren PWM-Frequenzen mit unseren schnellen, robusten und zuverlässige Treibern.
IGBT & SiC Gate Driver Fundamentals
Silicon carbide gate drivers -- a disruptive technology in power electronics (Rev. A)
Understanding the Short Circuit Protection for Silicon Carbide MOSFETs (Rev. C)
Technische Ressourcen
Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A)
Häufig gestellte Fragen (FAQs) zu Gate-Treibern
Impact of an isolated gate driver (Rev. A)
Design- & Entwicklungsressourcen
Referenzdesign für Leistungsstufen für DC/DC-Wandler mit <100 VIN
Dreiphasen-Inverter-Ref-Design für 200 – 480-VAC-Antr. mit optoemuliert. Eingangsgate-Treibern
Referenzdesign für AD/DC-SMPS, 480 W, <17 mm schmal, 94 % Wirkungsgrad, schnelles Einschwingverhalte
TIDA-01495 is ein AC/DC-Stromversorgungs-Referenzdesign mit niedriger Bauhöhe (17 mm), 94,1 % Spitzenwirkungsgrad, hoher Leistungsdichte, universellem Eingang, Ausgang mit 24 V und 480 W für Verbraucher. Die Schaltung besteht aus einer zweiphasigen Frontend-Leistungsfaktorkorrektur (PFC) im (...)